高端化合物半導體材料及芯片產業化項目外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)，項目資金 已落實，項目已具備招標條件，現對該項目進行公開招標。本次招標采用資格 后審。
2. 項目概況與招標范圍
2.1 項目概況:高端化合物半導體材料及芯片產業化項目位于東湖高新區綜合保稅區，總投資約25億元，總建 筑面積約23萬平方米，外立面工程量為32200平方米，包含12#試驗廠房、13#生產調度廠房、14#服務中心的方案 設計咨詢及估算、初步設計及概算、施工圖設計和施工階段配合服務及幕墻施工圖送審。
2.2 項目建設地點：湖北省武漢市東湖高新區綜合保稅區高新六路以南
2.3 標段劃分：本項目劃分為：1個標段
2.5 標段名稱：外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)
2.5.1 招標范圍：高端化合物半導體材料及芯片產業化項目位于東湖高新區綜合保稅區，總投資約25億元
,總建筑面積約23萬平方米，外立面工程量為32200平方米，包含12#試驗廠房、13#生產調度廠房、14#服務中心
的方案設計咨詢及估算、初步設計及概算、施工圖設計和施工階段配合服務及幕墻施工圖送審。
2.5.2 工期/服務期/交貨期：120天，工期說明：自合同簽訂生效后120日歷天內完成
3. 投標人資格要求
3.1 外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)
（1）投標人基本要求：1.幕墻設計經驗豐富，處理復雜造型樣式能力強，結構概念清晰，與主體結構配合好 ; 2.熟悉各種材質特點，合理選材，成本能得到合理控制； 3.有經驗設計人員的人力充足，可及時交付合格圖 紙； 4.有工地處理的經驗，可以及時解決現場施工過程中的問題。
（2）投標人資質要求：建筑幕墻工程設計專項乙級資質。
（3）投標人業績要求：滿足地上建筑面積超5萬平方米辦公樓或產業園3個。
（4）投標人擬投入本項目的項目負責人最低要求：項目負責人相關專業為中級職稱。
（5）投標人其他要求：1.公司注冊資金不低于100萬元整； 2.誠信要求：投標人須書面承諾不存在下列情形 ,否則投標將被拒絕：因不良行為被項目所在地政府主管部門禁止投標或施工禁入的；與招標人有合同糾紛，或 被索賠過的；被工商行政管理機關在“國家企業信用信息公示系統”網站（www.gsxt.gov.cn）中列入嚴重違法失 信企業名單；被最高人民法院在“信用中國”網站（www.creditchina.gov.cn）或各級信用信息共享平臺中列入
失信被執行人名單；其他法律法規規定禁止投標的情形。
（6）是否接受聯合體投標：否
（7）聯合體要求：
4. 招標文件的獲取
凡有意參加投標者，請于2024-10-17 16:30:00時至2024-10-22 16:30:00時
購買招標文件的投標人,請聯系辦理供應商會員事宜，未在中國電力招標采購網（m.cccibqz.cn）上注冊會員的單位應先點擊注冊。成為正式供應商后根據招標公告的相應說明在線完成招標文件的購買!為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程以公告詳細內容為準!
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