對下列產(chǎn)品及服務進行國際公開競爭性招標,于2024-10-08在公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式,現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:二類超晶格ICP刻蝕機,數(shù)量:1臺。資金到位或資金來源落實情況:資金已落實。項目已具備招標條件的說明:已具備招標條件。2、招標內(nèi)容招標項目編號:0653-244053A11017招標項目名稱:昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機采購項目 項目實施地點:中國云南省招標產(chǎn)品列表(主要設備):
3、投標人資格要求投標人應具備的資格或業(yè)績:(1)投標人為設備制造商或授權(quán)代理商。(2)若投標人為代理商或貿(mào)易公司,投標人應取得設備制造廠商對本次投標設備的正式授權(quán)書。設備制造廠商只能授權(quán)一家代理商或貿(mào)易公司參與本次投標。是否接受聯(lián)合體投標:不接受未領(lǐng)購招標文件是否可以參加投標:不可以4、
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項目 聯(lián)系人:李楊
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備注:欲購買招標文件的潛在投標人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務費后,查看項目業(yè)主,招標公告,中標公示等,并下載資格預審范圍,資質(zhì)要求,招標清單,報名申請表等。為保證您能夠順利投標,具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內(nèi)容為準,以招標業(yè)主的解答為準本。
編輯:chinabidding.co
序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
1 | 二類超晶格ICP刻蝕機 | 1臺 | 用于紅外焦平面探測器芯片高深寬比、高均勻性、低損傷探測器芯片刻蝕工藝。感應耦合等離子體刻蝕機采用模塊化設計,整機包括工藝模塊、傳輸模塊和軟件控制模塊;晶片在工藝模塊內(nèi)進行刻蝕,工藝時,在晶片上方產(chǎn)生等離子體,對晶片進行刻蝕;自動傳輸模塊裝有機械手,實現(xiàn)晶片在其和工藝模塊之間的傳輸;感應耦合等離子體刻蝕機具備智能化的軟件操作系統(tǒng),實現(xiàn)單片晶圓的自動刻蝕工藝。 | 交貨期為合同生效后6個月內(nèi); 交付地點為用戶最終使用現(xiàn)場 |
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